电容器及制造该电容器的方法

摘要

本发明的电容器系包括：一开放部分，形成在一半导体基板上之层间绝缘薄膜；一下电极，由具一不平坦表面部分之复晶矽所制；一化学氧化物薄膜，形成于该下电极之不平坦表面部分上；一氮氧化矽薄膜，其系藉氮化制程修改该化学氧化物薄膜而得；一电容绝缘薄膜，由形成于该氮氧化矽薄膜上之一金属氧化物薄膜所制成；一上电极，形成于该电容绝缘薄膜上。