| 摘要 |
本发明提供一种具有贯穿电极之半导体装置之制造方法，可提升半导体装置之可靠性以及良率。该制造方法系在对应焊垫电极(11)的位置形成贯穿半导体基板(10)的贯穿孔(16)。接着，在包含贯穿孔(16)之半导体基板(10)的背面上形成绝缘膜(17)。然后，于半导体基板(10)之背面上，形成贯穿孔(16)之开口部边缘具有突出部(18a)的补强用绝缘膜(18)。接着，以补强用绝缘膜(18)做为遮罩，蚀刻去除该底部之绝缘膜(17)，并保留贯穿孔(16)侧壁的绝缘膜(17)。接着，在包含贯穿孔(16)之半导体基板(10)的背面，形成贯穿电极(21)、配线层(22)、以及导电端子(24)。最后，藉由切割，将半导体基板(10)切断分离成半导体晶片(10A)。 |
