| 摘要 |
使以前的加工应变或被吸附喷嘴吸附时发生变形而容易使平面性受损之薄型化的IC晶片，藉平坦形成吸附面(11b)之吸附喷嘴(11)而以既定负载压在基板(4)上而矫正其变形，藉控制吸附喷嘴(11)的上升而补正因形成在电极上的焊料凸块(1a)之熔融而因加热的热膨胀使IC晶片和基板(4)的既定对向间隔之减少，藉控制吸附喷嘴(11)的下降而补正因冷却使热膨胀部位收缩而发生熔融部的剥离作用，其即使是容易发生变形之薄型化的IC晶片或在狭小间距形成多数个电极之IC晶片等电子零件也可在基板上实现正确封装之电子零件的封装方法及封装装置。 |
