| 摘要 |
本发明揭露一种半导体装置及其制造方法。依据本发明，该半导体装置之电晶体包括一堆叠型闸极，其中一通道氧化膜、一浮动闸、一介电膜及一控制闸系依序堆叠于一半导体基板上；一闸极氧化膜，其相对于该通道氧化膜而形成于该浮动闸下方之半导体基板上，其中该闸极氧化膜系沿着该浮动闸之底部及侧边的部分之界面来形成；以及浮动氮化膜，其掩埋该半导体基板上所形成之闸极氧化膜与沿着该浮动闸之底部及侧边的部分之界面所形成的闸极氧化膜间之间隙，其中该等浮动氮化膜用以作为热电荷之捕获中心及储存1–位元电荷。该半导体装置之电晶体可操作成为2–位元或3–位元单元电晶体。 |
