| 摘要 |
本发明揭示一种自动对准萧特基能障嵌位平面式双扩散金氧半电晶体结构及其制造方法，其中该自动对准萧特基能障嵌位平面式双扩散金氧半电晶体结构至少包含一个自动对准源区被一个平面化闸区所包围。该自动对准源区至少包含一个中度掺杂p–基扩散环形成于一个淡掺杂N^–磊晶半导体层之内、一个高掺杂n^＋源扩散环形成于该中度掺杂p–基扩散环的一个表面部份之内、及一个萧特基能障接触具有该中度掺杂p–基扩散环作为一个扩散保护环形成于该自动对准源区的一个中间半导体表面之上。该平面化闸区至少包含一个成形高掺杂复晶矽闸层局部地矽化有或没有金属矽化物层。该自动对准源区进一步至少包含一个淡掺杂p^–扩散区形成于该中度掺杂p–基扩散环的一个中间部份之下。 |
