| 摘要 |
本发明揭示一种包含一半导体晶粒(100)之发光元件(A)。该半导体晶粒包含：一磊晶结构(120)，其系配置在一基板(160)上，该磊晶结构形成一主动光产生区域(140)，其系在该主动区域之一第一侧上并且具有一第一导电率类型的一第一层(120n)，与在该主动区域之一第二侧上并且具有一第二导电率类型的一第二层(120p)之间，该主动区域之该第二侧系与该主动区域之该第一侧相对，并且该第二导电率类型不同于该第一导电率类型；一第一接点(180n)，其系经由该磊晶结构中的该第一层与该主动区域进行操作式电性通信，该第一接点系配置在与该基板相对的该磊晶结构之一侧上；一第二接点(180p)，其系经由该磊晶结构中的该第二层与该主动区域进行操作式电性通信，该第二接点系配置在与该基板相对的该磊晶结构之一侧上；一第一接点迹线，其对应于该第一接点并且定义在远离该基板的一表面上，该第一迹线包含至少一个指定用于结合的区域(320n)；以及一第二接点迹线，其对应于该第二接点并且定义在远离该基板的一表面上，该第二迹线包含至少一个指定用于结合的区域(320p)。相应地，该第一接点迹线实质上系封装于该第二接点迹线内。 |
