发明名称 半导体装置之制造方法
摘要 本发明系关于一种半导体装置之制造方法,其系揭露于半导体装置与外部连接端点间形成一连结(build-up)层,此方法包括于晶圆上于晶片上形成二次导线层,于具弹性之切割胶带上放置此晶片,对置于切割胶带上之晶片进行切割,藉由伸缩切割胶带在邻接半导体装置间形成一开口,藉由形成一建构层于半导体装置及其开口上形成半导体装置连续体,且以切割半导体装置连续体形成半导体装置之步骤。
申请公布号 TW200605283 申请公布日期 2006.02.01
申请号 TW094113078 申请日期 2005.04.25
申请人 新光电气工业股份有限公司 发明人 山野孝治;仓信幸
分类号 H01L23/12 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本