| 摘要 |
本发明关于一种半导体装置(10)，该半导体装置具有一半导体主体(1)，其包含一高欧姆半导体基板(2)，在该基板上覆盖一含有电荷之介电层(3)；在该介电层上存在一或更多被动电子组件(4)，其包含导体轨(4)；而在该等被动元件(4)的位置，一半导体区域(5)存在于该半导体基板(2)与该介电层(3,4)之间的介面；在该半导体基板(2)中，被该等电荷诱导产生之一第一传导性类型的传导通道系在该半导体区域(5)的位置处被该半导体区域(5)中断。根据本发明，该半导体区域(5)是单晶性，且属于第二传导性类型，其相反于该第一传导类型。以该方式，一诱导产生的通道的电荷系被该等半导体区域(5)之电荷局部补偿。该装置(10)具有一极低之高频功率损失，因为该反转通道系在该半导体区域(5)的位置上中断。该装置(10)尚容许比较高的热预算，因此容许主动半导体元件(7)整合到该半导体主体(1)内。较佳地，该半导体区域(5)包含大量的条状次区域(5A,5B,5C)。 |
