| 发明名称 |
具有非均匀掺杂的集极以用于改良的安全操作区之异质接面双极电晶体 |
| 摘要 |
异质接面双极电晶体(HBT)中的安全操作区(SOA)系藉由在基极区与底下的次集极区之间，产生具有层级式(连续或步级)掺杂之电晶体中的集极区而得到改善，其中电晶体中的集极区之集极掺杂接近基极会最低，而接近次集极会最高，并且集极掺杂低于次集极的掺杂。当集极电流增加时，非均匀掺杂的集极可降低柯克效应(Kirk effect)所导致的崩溃。 |
| 申请公布号 |
TW200605233 |
申请公布日期 |
2006.02.01 |
| 申请号 |
TW094110895 |
申请日期 |
2005.04.06 |
| 申请人 |
WJ通讯股份有限公司 |
发明人 |
李建平;邱尹飞;王楠磊;克兰伦斯 邓罗华兹;陈燕;林家福 |
| 分类号 |
H01L21/38 |
主分类号 |
H01L21/38 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
