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发明名称
改善原子层沉积制程之方法及装置
摘要
一种改善原子层沉积制程之装置及方法,系先形成一屏蔽罩于一反应室,以将反应室分隔成一第一次反应室与一第二次反应室。接着分别导入一第一前驱气体与一第二前驱气体于第一次反应室与第二次反应室中,并送入一晶圆至第一次反应室内。当此晶圆表面所吸附之第一前驱气体达饱和状态后,即旋转一轴承而使晶圆移动至第二次反应室内与第二前驱气体反应。其中,上述之屏蔽罩可用来移除晶圆上未反应的第一前驱气体与第二前驱气体。然后再送入另一晶圆至第一次反应室,以同时处理复数个晶圆而提高制程的生产效率。
申请公布号
TW200604374
申请公布日期
2006.02.01
申请号
TW093121391
申请日期
2004.07.16
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
邱文斌
分类号
C23C16/455
主分类号
C23C16/455
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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