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经营范围
发明名称
高电流半导体构造
摘要
一种高电流半导体构造,系有关于一种用于小体积内可提高额定电流之半导体构造,尤其可以适用于高功率积体电路元件,如用于电源供应装置之电晶体,该半导体构造具有第三金属层,利用电路并连原理,可将导通电流加大,其较昔知之半导体构造相比所提供电流高甚多。
申请公布号
TW200605312
申请公布日期
2006.02.01
申请号
TW093122457
申请日期
2004.07.27
申请人
尼克森微电子股份有限公司
发明人
王文雄
分类号
H01L23/58
主分类号
H01L23/58
代理机构
代理人
谢宗颖;王云平
主权项
地址
台北县汐止市康宁街169巷23号13楼之2
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