发明名称 高电流半导体构造
摘要 一种高电流半导体构造,系有关于一种用于小体积内可提高额定电流之半导体构造,尤其可以适用于高功率积体电路元件,如用于电源供应装置之电晶体,该半导体构造具有第三金属层,利用电路并连原理,可将导通电流加大,其较昔知之半导体构造相比所提供电流高甚多。
申请公布号 TW200605312 申请公布日期 2006.02.01
申请号 TW093122457 申请日期 2004.07.27
申请人 尼克森微电子股份有限公司 发明人 王文雄
分类号 H01L23/58 主分类号 H01L23/58
代理机构 代理人 谢宗颖;王云平
主权项
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