氯化镓系半导体积层体构造体

摘要

〔课题〕解决即使在蓝宝石基板上隔着低温缓冲层而形成GaN系III族氮化物半导体层，也不能得到充分稳定具有均一定向性之GaN系半导体层的问题。〔解决手段〕本发明之特征为：设于蓝宝石基板100上的与基板100接合区域内含有具备单结晶层的低温缓冲层101，且该单结晶层为由一包括经均一定向成与蓝宝石的〔2.–1.–1. 0.〕方向平行之〔1. 0.–1. 0.〕方向、且含Ga较Al更丰富的六方形结晶之AlXGaYN(0.5＜Y≦1、X＋Y＝1)单结晶所构成。