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发明名称
氮化镓系化合物半导体发光元件用透光性正极及发光元件
摘要
本发明的目的在于提供一种正极,其系不需要进行电子线照射或高温之退火或者在氧气环境下之合金化处理、且具有良好的透光性及低接触电阻且电流扩散性优异。本发明之氮化镓系化合物半导体发光元件用透光性正极,其特征为:由接合在p型半导体层上的接触金属层、接合垫、及设置于该接触金属层上之一部分上且导电率为接触金属层以上之值的电流扩散层所形成。
申请公布号
TW200605409
申请公布日期
2006.02.01
申请号
TW094118852
申请日期
2005.06.08
申请人
昭和电工股份有限公司
发明人
渡边宗隆;村木典孝;大野泰
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
何金涂;何秋远
主权项
地址
日本
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