化合物半导体元件晶圆之制法

摘要

本发明的目的，在提供一种化合物半导体元件晶圆之制法，其中可在极高良率下正确地切断，且加工速度快，因而改善生产性。本发明，是将复数的化合物半导体元件经由分离带域而配置于基板上的化合物半导体元件晶圆之制法，其特征为：在该分离带域的基板表面(半导体侧)上，在化合物半导体层存在的状态下，藉由雷射法形成割沟。