发明名称 镀敷用高纯度硫酸铜及其制造方法
摘要 本发明系关于一种高纯度硫酸铜,其特征在于,杂质 Ag之含量在1wtppm以下,且具备99.99wt%以上的纯度;以及关于此高纯度硫酸铜之制造方法,其特征在于,将粗硫酸铜结晶或铜金属溶解,对其施行活性碳处理、或溶剂莘取及活性碳处理以进行再结晶化。本发明之目的在于提供一种高纯度硫酸铜之制造方法,以及由此制造方法所制得之高纯度硫酸铜。此制造方法,系将市售之硫酸铜结晶藉由以纯水或酸溶解、及随后精制之步骤,能低成本且高效率的除去杂质而制得高纯度硫酸铜。
申请公布号 TWI248476 申请公布日期 2006.02.01
申请号 TW093123780 申请日期 2004.08.09
申请人 日材料股份有限公司 发明人 新藤裕一朗;竹本幸一
分类号 C25C1/00 主分类号 C25C1/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种镀敷用高纯度硫酸铜,其特征在于:杂质Ag之 含量在1wtppm以下、择自As、Sb、Bi之类金属元素杂 质的含量分别在1wtppm以下、1m以上之水中未溶 解残渣在100个/L以下、并具备99.99wt%以上之纯度。 2.如申请专利范围第1项之镀敷用高纯度硫酸铜,其 具备99.999wt%以上之纯度。 3.一种镀敷用高纯度硫酸铜之制造方法,其特征在 于:将粗硫酸铜结晶或铜金属使用纯水或酸溶解, 对其进行活性碳处理、或溶剂萃取及活性碳处理, 并加热至50-100℃蒸发浓缩后,冷却至室温使结晶析 出以进行再结晶化。 4.如申请专利范围第3项之镀敷用高纯度硫酸铜之 制造方法,系用来制造申请专利范围第1或第2项之 镀敷用高纯度硫酸铜。 图式简单说明: 图1,系本发明之高纯度硫酸铜之制造方法之流程 图。
地址 日本