| 主权项 |
1.一种非手术型雷射打鼾治疗仪,包括雷射器、凸 透镜组、光纤和手柄,其中凸透镜组和光纤的一端 均以雷射器光轴为基准安装,该光纤的另一端连接 手柄。 2.如申请专利范围第1项所述之一种非手术型雷射 打鼾治疗仪,其中雷射器为红外固体雷射器,脉冲 或连续式发光(continuous wave),其光波波长为0.7到2.1 微米,脉冲宽度大于100毫秒或连续光,雷射光重复 频率1到50赫兹,雷射器输出功率在被治疗部位表面 为0.5到15瓦。 3.如申请专利范围第1项所述之一种非手术型雷射 打鼾治疗仪,其中该雷射器为半导体雷射器(diode laser),其光波波长为0.7到1.9微米。 4.如申请专利范围第1项所述之一种非手术型雷射 打鼾治疗仪,其中该雷射器为参汝氩珞(Nd:YAG)、氩 氟氧(Nd:YVO4)或氩氟(Nd:YLF)、参铒玻璃(Er:glass)或参 何氩珞(Ho:YAG)等固体雷射器,其光波波长为1.05到2.1 微米。 5.如申请专利范围第4项所述之一种非手术型雷射 打鼾治疗仪,其中该雷射器由多只半导体雷射(diode laser)组成,各半导体雷射器的输出光线组成一光 束(bundle),各半导体雷射波长为0.7到1.9微米,到达治 疗区部位时的总雷射功率.为0.5到15瓦。 6.如申请专利范围第4项所述之一种非手术型雷射 打鼾治疗仪,其中该雷射器前方设有一雷射光闸, 同时设一脚踏开关与该雷射光闸连接。 7.如申请专利范围第5项所述之一种非手术型雷射 打鼾治疗仪,其中该进一步包括调整光路的反射镜 组,该反射镜组由两片45高反射平面反射镜组成。 8.如申请专利范围第4项所述之一种非手术型雷射 打鼾治疗仪,其中该凸透镜组可为圆透镜、椭圆透 镜或两者组合,雷射光线在治疗部位形成的光斑直 径为1.0-10.0mm,并且光斑形状接近圆形。 9.如申请专利范围第1项所述之一种非手术型雷射 打鼾治疗仪,其中该光纤呈高透性。 10.如申请专利范围第1项所述之一种非手术型雷射 打鼾治疗仪,其中该手柄的两端各设有一耦合器, 其中一个耦合器连接手柄与上述光纤,另一耦合器 连接手柄与一末节光纤,在手柄内光纤与末节光纤 之间,设有一耦一合凸透镜。 11.如申请专利范围第9项所述之一种非手术型雷射 打鼾治疗仪,其中该末节光纤的长度为5到10毫米, 光通直径为0.5到3.0毫米,经过末节光纤的输出光斑 经发散后到达治疗部位表面时的大小2.0到5.0毫米, 末节光纤的输出端形状可为平面、曲面、尖形或 其他形状。 图式简单说明: 第一图:为本新型一种实施方式的结构示意图。 第二图:为本新型另一种实施方式的结构示意图。 第三图:为本新型中一种手柄的结构示意图。 第四图:为本新型中另一种手柄的结构示意图。 |
