发明名称 奈米碳管生产之方法
摘要 一种奈米碳管生产之方法,系有监于知技艺对于弧光放电法制作含奈米碳管块材之过程,虽利用一种检知回馈之电压或电流之讯号,以增加含奈米碳管块材,然仍难以提升其所含奈米碳管之纯度或含量,因此发明人乃利用一种弧光放电电压与成长时间之特定关系,该关系可以方程式表示,以提高成长含奈米碳管之碳质块材之含奈米碳管量之纯度与比例的方法,可提升特定结构之碳管成长,降低其他结构或非特定产物之产量。
申请公布号 TWI248629 申请公布日期 2006.02.01
申请号 TW093111517 申请日期 2004.04.23
申请人 东元奈米应材股份有限公司 发明人 郭志彻;许瑞庭;陈士勋
分类号 H01J37/073 主分类号 H01J37/073
代理机构 代理人 谢宗颖 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;王云平 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项 1.一种奈米碳管生产之方法,系使用以弧光放电法 为原理之装置,其步骤包括有: (1)建立一弧光放电时可动态控制阳极石墨碳棒与 阴极石墨碳棒间隙之奈米碳管成长装置;及 (2)在弧光放电以生产奈米碳管时,控制该间隙在一 预定范围并使用一电压与时间相关之特性关系式, 以随着时间控制电压,使奈米碳管产生。 2.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管生产之方 法,其中该特性关系式为电压等于一时间之多项式 ,且该多项式之幂次至少为时间之一次式。 3.如申请专利范围第2项所述之奈米碳管生产之方 法,其中该特性关系式为V(t)=a0+a1t+a2t2+a3t3函数形式 。 4.如申请专利范围第3项所述之奈米碳管生产之方 法,其中各该系数a0可为24至26,a1为0.045至0.055。 5.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管生产之方 法,其中该间隙被控制在该预定范围时,阴阳极电 流范围为85至95A。 6.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管生产之方 法,其中该奈米碳管成长装置系为以滑轨及步进马 达调整该间隙。 7.如申请专利范围第3项所述之奈米碳管生产之方 法,其中该奈米碳管成长装置具有可程式逻辑控制 器,具对该特性关系式之各该系数做调整之功能, 以因应实际操作之需求。 图式简单说明: 第一图、为习知奈米碳管产生装置示意图; 第二图、本发明之装置系统之系统方块示意图; 第三图、本发明之控制流程图;及 第四图、本发明之实施装置示意图。
地址 台北市中山区松江路156之1号6楼