| 主权项 |
1.一种制造一具有强极化介电材料或铁电材料之 积体半导体电路的方法,其中一积体化电容器(2)具 有第一电极(8),第二电极(9)及具有一电气绝缘的介 电或铁电材料(3)安排在第一电极与第二电极之间 形成在半导体基材(1)上,及其中该介电或铁电材料 (3)被加热以及因而转变成强极化相,其特征为该介 电或铁电材料(3)沉积在中间载体(10)上及在中间载 体(10)上加热,再从中间载体(10)分离,被粉碎成小颗 粒(4)及将这些颗粒(4)形态施加到半导体基材(1)上 。 2.如申请专利范围第1项的方法,其中借助超音波(U) 将介电或铁电材料(3)从中间载体(10)分离。 3.如申请专利范围第1或第2项的方法,其中将介电 或铁电材料(3)从中间载体(10)分离系利用添加化学 物质而达成。 4.如申请专利范围第1或第2项的方法,其中借助机 械及/或热能产生的应力将介电或铁电材料(3)从中 间载体(10)分离。 5.如申请专利范围第1或第2项的方法,其中一基材 提供一附着性减低覆盖层(17)被用做中间载体(10) 。 6.如申请专利范围第5项的方法,其中一半导体基材 被用做中间载体(10)。 7.如申请专利范围第1项的方法,其中介电或铁电材 料(3)颗粒(4)以悬浮液(5)施加到半导体基材(1)。 8.如申请专利范围第7项的方法,其中该悬浮液(5)旋 转涂布到半导体基材(1)上。 9.如申请专利范围第7项的方法,其中该悬浮液(5)根 据Langmuir-Blodgett方法施加到半导体基材(1)上。 10.如申请专利范围第1项的方法,其中在半导体基 材(1)上的介电或铁电材料(3)颗粒(4)中之电偶极被 感应及定向。 11.如申请专利范围第10项的方法,其中该电偶极被 一电场(E)感应及定向。 12.如申请专利范围第11项的方法,其中该半导体基 材被用来感应及定向电偶极的电浆(21)包围。 13.如申请专利范围第7至9项任一种的方法,其中在 悬浮液(5)中包围介电或铁电材料(3)之颗粒(4)的液 体(6)被蒸发。 14.如申请专利范围第13项的方法,其中在半导体基 材(1)上的介电或铁电材料(3)颗粒(4)之间的间隙(d) 以一绝缘体(16)填充。 15.如申请专利范围第1项的方法,其中一钙钛矿被 用做介电或铁电材料(3)。 16.如申请专利范围第1项的方法,其中使用一铁电 材料。 17.如申请专利范围第1项的方法,其中使用一介电 材料具有一介电常数>100。 图式简单说明: 图1A说明包含许多记忆胞的积体半导体记忆体之 结构图示, 图1B说明单一记忆胞的横截面, 图2A说明根据本发明方法的第一步骤, 图2B说明根据本发明方法的第二步骤, 图2C说明根据本发明方法的另一种第二步骤, 图2D说明取代图2A至2C步骤的另一种方法的步骤, 图2E说明根据本发明方法的第三步骤, 图2F说明根据本发明方法的第四步骤, 图2G说明根据本发明方法的第五步骤, 图2H说明根据本发明方法的第六步骤及 图2I说明根据本发明方法的第七步骤。 |
