| 主权项 |
1.一种二极体晶片之再加工单元,包含: (1)晶片,具有第一电极以及第二电极;以及 (2)次载体,承载前述之晶片;具有底面金属,藉着垂 直金属导通至前述之次载体上层使电性耦合至前 述之晶片的两个电极之一。 2.如申请专利范围第1项所述之二极体晶片之再加 工单元,其中所述之垂直金属,系制作于前述之次 载体基材上之通孔。 3.如申请专利范围第1项所述之二极体晶片之再加 工单元,其中所述之垂直金属,系制作于前述之次 载体基材之边壁。 4.如申请专利范围第1项所述之二极体晶片之再加 工单元,其中所述之第一电极以及第二电极,皆位 于前述之晶片的底面;且前述之次载体之上面具有 至少两处金属电路,以接触式分别电性耦合于前述 之两个电极。 5.如申请专利范围第1项所述之二极体晶片之再加 工单元,更包含:保护胶体,封装保护至少前述之晶 片周边。 6.如申请专利范围第1项所述之二极体晶片之再加 工单元,更包含: (1)上层夹挚金属片,具有至少一个通孔,容纳前述 之晶片;且电性耦合至前述之次载体表面之两处金 属电路之一;以及 (2)下层夹挚金属片,安置于前述之次载体下方,以 接触方式,电性耦合至前述之次载体的底面金属。 7.如申请专利范围第6项所述之二极体晶片之再加 工单元,更包含:透光材料,覆盖在前述之上层夹挚 金属的通孔上方。 8.如申请专利范围第1项所述之二极体晶片之再加 工单元,其中所述之第一电极,位于前述之晶片的 底面;前述之第二电极,位于前述之晶片的表面;且 前述之次载体之上面具有至少一处金属电路,电性 耦合于前述之底面电极。 9.如申请专利范围第8项所述之二极体晶片之再加 工单元,更包含:保护胶体,封装保护至少前述之晶 片周边。 10.如申请专利范围第8项所述之二极体晶片之再加 工单元,更包含: (1)上层夹挚金属片,具有至少一个通孔,容纳前述 之晶片;且电性耦合至前述之表面电极;以及 (2)下层夹挚金属片,安置于前述之次载体下方,以 接触方式,电性耦合至前述之次载体的底面金属。 11.如申请专利范围第10项所述之二极体晶片之再 加工单元,更包含打线,将前述之表面电极电性耦 合至前述之上层夹挚金属片。 12.如申请专利范围第10项所述之二极体晶片之再 加工单元,更包含:保护胶体,封装保护至少前述之 晶片周边。 13.如申请专利范围第10项所述之二极体晶片之再 加工单元,更包含:透光材料,覆盖在前述之上层夹 挚金属之通孔上方。 14.如申请专利范围第10项所述之二极体晶片之再 加工单元,其中所述之次载体之上面,更包含第二 处金属电路,电性接触于前述之上层夹挚金属片; 且以打线方式,将前述之第二金属电路电性耦合于 前述之表面电极。 15.如申请专利范围第10项所述之二极体晶片之再 加工单元,更包含:保护胶体,封装保护前述之晶片 、表面电极、以及打线。 16.如申请专利范围第10项所述之二极体晶片之再 加工单元,更包含:透光材料,覆盖在前述之上层夹 挚金属之通孔上方。 17.如申请专利范围第1项所述之二极体晶片之再加 工单元,其中所述之第一电极以及第二电极,皆位 于前述之晶片的表面;且前述之次载体之上面具有 至少一处金属电路,以打线方式,电性耦合于前述 之第一电极。 18.如申请专利范围第17项所述之二极体晶片之再 加工单元,更包含:保护胶体,封装保护至少前述之 第一电极以及打线。 19.如申请专利范围第17项所述之二极体晶片之再 加工单元,更包含: (1)上层夹挚金属片,具有至少一个通孔,容纳前述 之晶片;且电性耦合至前述之第二表面电极;以及 (2)下层夹挚金属片,安置于前述之次载体之下方, 以接触方式,电性耦合至前述之次载体的底面金属 。 20.如申请专利范围第19项所述之二极体晶片之再 加工单元,更包含打线,将前述之第二表面电极电 性耦合至前述之上层夹挚金属片。 21.如申请专利范围第19项所述之二极体晶片之再 加工单元,更包含:保护胶体,封装保护至少前述之 第一电极以及打线。 22.如申请专利范围第17项所述之二极体晶片之再 加工单元,其中所述之次载体之上面,更包含第二 处金属电路,电性接触于前述之上层夹挚金属片; 且以打线方式,将前述之第二处金属电路电性耦合 于前述之第二表面电极。 23.如申请专利范围第22项所述之二极体晶片之再 加工单元,更包含:保护胶体,封装保护前述之两个 电极、晶片、以及两条打线。 24.如申请专利范围第21项所述之二极体晶片之再 加工单元,更包含: (1)上层夹挚金属片,具有至少一个通孔,容纳前述 之晶片;且电性耦合至前述之第一表面电极;以及 (2)下层夹挚金属片,安置于前述之次载体下方,以 接触方式,电性耦合至前述之次载体的底面金属。 25.如申请专利范围第24项所述之二极体晶片之再 加工单元,更包含:保护胶体,封装保护前述之两个 电极、晶片、以及两条打线。 26.如申请专利范围第6,10,19,或24项所述之二极体晶 片之再加工单元,其中所述之上层夹挚金属片,具 有一端弯折至与前述之下层夹挚金属共平面。 27.如申请专利范围第6,10,19,或24项所述之二极体晶 片之再加工单元,更包含:焊锡材料,涂布于前述之 夹挚金属片之压合接点处,加热熔接接点,提高接 点之电性可靠度。 图式简单说明: 图1. 先前技艺 图2. 本技艺实施例一 图3. 图2.的次载体上表面金属区块示意 图4. 本技艺实施例二 图5. 本技艺实施例三 图6. 本技艺使用之夹挚金属一 图7. 本技艺实施例四 图8. 本技艺实施例五 图9. 本技艺实施例六 图10. 本技艺实施例七 图11. 本技艺实施例八 图12. 本技艺实施例九 图13. 本技艺实施例十 图14. 本技艺实施例十一 图15. 本技艺实施例十二 图16. 本技艺实施例十三 图17. 本技艺实施例十四 图18. 本技艺实施例十五 图19. 本技艺实施例十六 图20. 本技艺实施例十七 图21. 本技艺实施例十八 图22. 本技艺实施例十九 图23. 本技艺实施例二十 图24. 本技艺实施例二十一 图25. 本技艺使用之夹挚金属二 图26. 本技艺实施例二十一 |
