| 主权项 |
1.一种晶片接合制程,包括: 提供一晶片,其中该晶片具有一主动表面与相对之 一背面; 将该晶片之该背面朝向一基板配置,以透过一黏着 层将该晶片之该背面压合于该基板之一接合表面 上; 提供一保护膜于该晶片上; 进行一后压合步骤,以透过该保护膜施加一预定的 力于该晶片上,而加强结合该晶片与该基板;以及 固化该黏着层。 2.如申请专利范围第1项所述之晶片接合制程,其中 在将该晶片之该背面压合于该基板之该接合表面 时,包括贴附一黏着胶膜于该晶片之该背面,以作 为该黏着层。 3.如申请专利范围第1项所述之晶片接合制程,其中 该黏着层之材质包括环氧树脂。 4.如申请专利范围第1项所述之晶片接合制程,其中 该后压合步骤系于一高温环境下进行。 5.如申请专利范围第1项所述之晶片接合制程,其中 该后压合步骤包括藉由一治具施加该预定之力于 该晶片上。 6.如申请专利范围第5项所述之晶片接合制程,其中 该治具具有一压合面,且该压合面系大于该晶片之 该主动表面。 7.如申请专利范围第1项所述之晶片接合制程,其中 该保护膜之材质包括聚合材料。 8.如申请专利范围第1项所述之晶片接合制程,其中 进行该后压合步骤时所施加的力,系大于透过该黏 着层将该晶片之该背面压合于该基板之该接合表 面时所施加的力。 9.如申请专利范围第1项所述之晶片接合制程,其中 透过该黏着层将该晶片之该背面压合于该基板之 该接合表面时所施加的力系小于3N。 10.如申请专利范围第1项所述之晶片接合制程,其 中进行该后压合步骤时所施加的力系介于5N与500N 之间。 图式简单说明: 图1A~图1B绘示为习知之晶片接合制程之示意图。 图2绘示为本发明之晶片接合制程的示意图。 图3A~图3C绘示为本发明之实施例之晶片接合制程 之示意图。 图4绘示为本发明之另一实施例中对晶片进行后压 合步骤之示意图。 |
