| 主权项 |
1.一种形成一半导体装置中之氧化物层之方法,其 包括以下步骤: 在一分隔成一低电压运作元件区域及一高电压运 作元件区域之半导体基板上形成一第一氧化物层; 藉由一蚀刻处理以一预定厚度自该低电压运作元 件区域部分地蚀刻该第一氧化物层,而将该第一氧 化物层保持为一目标厚度; 藉由一预清洗处理移除该第一氧化物层;及 在该低电压运作元件区域上形成一第二氧化物层 。 2.如请求项1之方法,其中,该第一氧化物层之该剩 余目标厚度为20 至100 。 3.如请求项1之方法,其中该蚀刻处理使用一缓冲氧 化物蚀刻剂(BOE)。 4.如请求项1之方法,其中该预清洗处理使用一H2SO4 溶液、一混合的HF溶液及一SC-1溶液。 5.如请求项1之方法,在形成该第一氧化物层之前其 进一步包括下一步骤:进行一清洗处理以移除残留 在该半导体基板之一表面上之垃圾或一天然氧化 物层。 6.如请求项5之方法,其中,该清洗处理使用一SC-1溶 液及一以10:1至100:1之比例混合的HF溶液。 7.一种形成一半导体装置中之氧化物层之方法,其 包括以下步骤: 在一分隔成一低电压运作元件区域及一高电压运 作元件区域之半导体基板上形成一第一氧化物层; 自该低电压运作元件区域移除该第一氧化物层; 藉由利用一氧化处理氧化该低电压运作元件区域 中之该半导体基板之一表面而形成一钝化氧化物 层,俾消除对该低电压运作元件区域中之该半导体 基板之该表面之损坏; 藉由一预清洗处理移除该钝化氧化物层;及 在该低电压运作元件区域上形成一第二氧化物层 。 8.如请求项7之方法,在形成该第一氧化物层之前其 进一步包括下一步骤:进行一清洗处理以移除残留 在该半导体基板之一表面上之垃圾或一天然氧化 物层。 9.如请求项7之方法,其中,该清洗处理使用一SC-1溶 液及一以10:1至100:1之比例混合的HF溶液。 10.如请求项7之方法,其中,该第一氧化物层系在750 ℃至850℃之温度下,藉由一湿式氧化处理而形成。 11.如请求项7之方法,其中该第一氧化物层形成之 厚度为200 至400 。 12.如请求项7之方法,其中该钝化氧化物层形成之 厚度为20 至100 。 13.如请求项7之方法,其中该钝化氧化物层系在750 ℃850℃之温度下,藉由一湿式氧化处理;或在800℃ 至1050℃的温度下,藉由一乾式氧化处理而形成。 14.如请求项7之方法,其中该预清洗处理使用一H2SO 溶液、一混合的HF溶液及一SC-1溶液中至少一种以 上。 15.如请求项14之方法,其中可利用以下方式运作该 预清洗处理:按次序使用该H2SO4溶液、该混合的HF 溶液及该SC-1溶液;在该混合的HF溶液后使用该SC-1 溶液;或者在该SC-1溶液后使用该混合的HF溶液。 16.如请求项7之方法,其中该第二氧化物层系在750 ℃至850℃之温度下,藉由一湿式氧化处理;或在900 ℃至1100℃之温度下,藉由一乾式氧化处理而形成 。 17.如请求项16之方法,在形成该第二氧化物层之后 其进一步包括下一步骤:藉由进行一利用氮之退火 处理来将该第二氧化物层形成为一氮氧化物层。 18.如请求项17之方法,其中该利用氮之退火处理可 藉由供应一NO气体或一N2O气体5至30分钟来进行。 19.如请求项17之方法,其中该退火处理可在300 Torr 至760 Torr之压力下及800℃至1100℃之温度下进行。 20.如请求项17之方法,其中就地进行该利用氮之退 火处理。 图式简单说明: 图1A至图1C为说明根据习知技术形成半导体装置中 之氧化物层之方法之剖视图。 图2A至图2D为说明根据本发明之一例示性实施例形 成半导体装置中之氧化物层之方法之剖视图。 图3A至图3E为说明根据本发明之另一实施例形成半 导体装置中之氧化物层之方法之剖视图。 |
