具有分离闸极装置之记忆体以及其制造方法

摘要

本发明说明了一种不依赖通过一绝缘层上覆矽(SOI)基材的一绝缘层之电场而采用单体装置作为记忆单元的在该SOI基材上制造之DRAM。以各被正交配置的线界定各浮体装置，而系在该绝缘层上形成每一浮体的一前闸极及背闸极。