具混合井区之碳化矽装置及用以制造该等碳化矽装置之方法

摘要

本发明揭示一种MOS通道装置及用以制造此类具一混合通道的装置之方法。范例性装置包括具一碳化矽混合井区之垂直功率MOSFET及用以制造此类装置之方法。该混合井区可包括：一植入的p型碳化矽井部分，其在一p型碳化矽磊晶层中；一植入的p型碳化矽接触部分，其接触该植入的p型碳化矽井部分并延伸至该p型磊晶层之一表面及／或一p型磊晶碳化矽部分，该p型磊晶碳化矽井部分之至少一部分对应于该MOSFET之一p型通道区域。