可减小周围区域中临界尺寸之半导体装置之制造方法

摘要

本发明揭示一种制造其中周围区域之临界尺寸减小之半导体装置之方法。该方法包括下列步骤：在包含元件区域及周围区域之基材上形成氮化矽层；在该氮化矽层上形成氧氮化矽层；在该氧氮化矽层上形成线型光阻剂图案使得该元件区域中之光阻剂图案具有大于最终图案结构宽度之宽度且周围区域中之光阻剂图案具有可抑制图案崩塌发生之宽度；蚀刻该氧氮化矽层及该氮化矽层直至剩余氧氮化矽层及剩余氮化矽层之宽度小于使用作为蚀刻遮罩之光阻剂图案宽度，藉由该遮罩可抑制聚合物产生；及过度蚀刻剩余氮化矽层。