发明名称 层排列、场效应电晶体及制造层排列方法
摘要 本发明关于一种层排列,其具基材、具于该基材上的半导体层、具于该半导体层中的沟渠、具在该沟渠侧壁及基底的电绝缘材料及具于该沟渠中电绝缘材料上包含碳的材料。
申请公布号 TW200605353 申请公布日期 2006.02.01
申请号 TW094120508 申请日期 2005.06.20
申请人 亿恒科技股份公司 发明人 洁希卡.哈特维希;拉斯.德雷斯科恩菲尔德;莱纳.施勒特尔;格诺特.史坦恩雷斯贝格尔
分类号 H01L29/78;H01L21/84 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国