整合拉紧的锗层到先进CMOS技术中的方法INTEGRATION OF STRAINED GE INTO ADVANCED CMOS TECHNOLOGY

摘要

在此揭示一种在一具有压缩应力之锗层中制造PFET元件用的结构与方法。这类元件的制造方法系与标准CMOS技术相容且可完全可加以放大量产，其中的处理步骤包括专一性磊晶沉积一超过50％锗浓度的缓冲层、一纯锗层及一SiGe顶层。相较于类似的矽元件来说，所制作之容纳在该具有压缩应力之锗层中的埋设通道型PMOS元件，具有优异的元件特性。