发明名称 |
低介电常数介电质之黏着性改良 |
摘要 |
所揭示者为用以处理一基材的方法,以在两低k介电层间沉积出一具有低介电常数值的黏性层。在一态样中,本发明提供一种处理一基材的方法,包括将该基材置放在一制程室中,其中该基材具有一至少包含矽和碳的阻障层;以一第一比例之有机矽化物及氧化气体来将该有机矽化物及氧化气体引入至该制程室中;产生一第一电浆(由该有机矽化物及氧化气体所形成)以在该阻障层上形成一初始层;以一第二比例之有机矽化物及氧化气体来将该有机矽化物及氧化气体引入至该制程室中,其中该第二比例系大于该第一比例;并在该介电初始层相邻处沉积一第一介电层。 |
申请公布号 |
TW200605221 |
申请公布日期 |
2006.02.01 |
申请号 |
TW094107933 |
申请日期 |
2005.03.15 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
黄李丽华;黄子芳;舒奇亚图戴安;夏立群;李伟文彼得;姆萨德希肯;崔振江;朴贤秀 |
分类号 |
H01L21/316;H01L21/768;C23C16/40;C23C16/32 |
主分类号 |
H01L21/316 |
代理机构 |
|
代理人 |
蔡坤财 |
主权项 |
|
地址 |
美国 |