发明名称 | 奈米压印之压模及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明属于奈米压印技术,提供一种奈米压印之压模,其包括一基底;复数奈米结构形成于该基底,其与该基底系一整体;及一镀层覆盖于该奈米结构之表面;该镀层系奈米类金刚石碳膜或奈米晶金刚石膜。所述基底及奈米结构之材料系选自碳化矽、氮化矽或碳氮化矽。上述镀层厚度为奈米级,最好在10奈米以下。另外,本发明还提供这种压模之制备方法。首先利用微影蚀刻技术于矽基底形成奈米图案,然后沈积压模材料形成初步模仁,最后镀上奈米类金刚石碳膜或奈米晶金刚石膜得到奈米压印之压模。 | ||
申请公布号 | TW200603994 | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
申请号 | TW093122078 | 申请日期 | 2004.07.23 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 简士哲 |
分类号 | B29C59/00;B81C1/00 | 主分类号 | B29C59/00 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市自由街2号 |