发明名称 陶瓷气体感测器
摘要 一种陶瓷气体感测器,至少由上电极、反应层、下电极与陶瓷腔体层组成,反应层为一端设有反应区之陶瓷基板,其反应区含有贯穿基板上表面与其下表面的复数个导通孔以及覆盖于反应区的上表面之反应薄膜,反应薄膜系由感测材料所形成并连接于复数个导通孔,且导通孔内亦填有用以形成反应薄膜之感测材料,上电极系贴附于反应薄膜上,下电极则贴附于基板下表面并且连接于复数个导通孔,陶瓷腔体层系间隔下电极设置于反应层的下表面。
申请公布号 TWI248511 申请公布日期 2006.02.01
申请号 TW093112496 申请日期 2004.05.04
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 邱国创;简仁德
分类号 G01F15/04;G01N27/407 主分类号 G01F15/04
代理机构 代理人
主权项 1.一种陶瓷气体感测器,其包含有: 一反应层,系一基板,其一端设置一反应区,该基板 具有一上表面与一下表面,该反应区含有一反应薄 膜与复数个导通孔,该反应薄膜系由一感测材料所 形成,该反应薄膜覆盖于该基板的该上表面并连接 于该导通孔,该导通孔贯穿该基板之该上表面与该 下表面,且于该导通孔内填有用以形成该反应薄膜 之该感测材料; 一上电极,系贴附于该反应薄膜上; 一下电极,贴附于该基板的该下表面并且连接于该 导通孔;及 一陶瓷腔体层,系间隔该下电极设置于该反应层的 该下表面,该陶瓷腔体层具有与外部环境导通的一 空腔体,该空腔体邻接于该下电极。 2.如申请专利范围第1项所述之陶瓷气体感测器,其 中该感测材料系选自钙安定氧化锆、钇安定氧化 锆、镱安定氧化锆、钒安定氧化锆及钐安定氧化 锆。 3.如申请专利范围第1项所述之陶瓷气体感测器,其 中该基板系选自氧化锆基板、氧化铝基板、氧化 锆混合氧化铝基板及氧化锆混合氧化镁基板。 4.如申请专利范围第1项所述之陶瓷气体感测器,其 中该上电极系选自白金、金、银及其合金。 5.如申请专利范围第1项所述之陶瓷气体感测器,其 中该下电极系选自白金、金、银及其合金。 6.如申请专利范围第1项所述之陶瓷气体感测器,其 中更包含一加热元件,贴附于该上电极。 7.如申请专利范围第6项所述之陶瓷气体感测器,其 中该加热元件为一含加热电极之基板。 8.如申请专利范围第7项所述之陶瓷气体感测器,其 中该加热电极系选自白金、钨、钼及其金属氧化 物。 9.如申请专利范围第1项所述之陶瓷气体感测器,其 中更包含一温度感测元件,贴附于该陶瓷腔体层。 10.如申请专利范围第9项所述之陶瓷气体感测器, 其中该温度感测元件为一含温度感测电极之基板 。 11.一种陶瓷气体感测器,其包含有: 复数个陶瓷气体感测元件,其包含: 一反应层,系一基板,其一端设置一反应区,该基板 具有一上表面与一下表面,该反应区含有一反应薄 膜与复数个导通孔,该反应薄膜系由一感测材料所 形成,该反应薄膜覆盖于该基板的该上表面并连接 于该导通孔,该导通孔贯穿该基板之该上表面与该 下表面,且于该导通孔内填有用以形成该反应薄膜 之该感测材料; 一上电极,系贴附于该反应薄膜上; 一下电极,贴附于该基板的该下表面并且连接于该 导通孔; 一陶瓷腔体层,系间隔该下电极设置于该反应层的 该下表面,该陶瓷腔体层具有与外部环境导通的一 空腔体,该空腔体邻接于该下电极; 一个以上之加热元件,系间隔设置于该气体感测元 件之间;及 一温度感测元件,设置于该陶瓷气体感测元件之底 部。 12.如申请专利范围第11项所述之陶瓷气体感测器, 其中该感测材料可选自钙安定氧化锆、钇安定氧 化锆、镱安定氧化锆、钪安定氧化锆及钐安定氧 化锆。 13.如申请专利范围第11项所述之陶瓷气体感测器, 其中该基板系选自氧化锆基板、氧化铝基板、氧 化锆混合氧化铝基板及氧化锆混合氧化镁基板。 14.如申请专利范围第11项所述之陶瓷气体感测器, 其中该上电极系选自白金、金、银及其合金。 15.如申请专利范围第1项所述之陶瓷气体感测器, 其中该下电极系选自白金、金、银及其合金。 16.如申请专利范围第11项所述之陶瓷气体感测器, 其中该复数个陶瓷气体感测元件包含浓淡式氧气 感测器与限界电流式氧气感测元件。 17.如申请专利范围第11项所述之陶瓷气体感测器, 其中该加热元件为一含加热电极之基板。 18.如申请专利范围第17项所述之陶瓷气体感测器, 其中该加热电极系选自白金、钨、钼及其金属氧 化物。 19.如申请专利范围第11项所述之陶瓷气体感到器, 其中该温度感测元件为一含温度感测电极之基板 。 图式简单说明: 第1图为本发明第一实施例之结构示意图;及 第2图为本发明第二实施例之结构示意图。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号