| 主权项 |
1.一种光电元件,其在以InxAlyGa1-x-yN,0≦x≦1, 0≦y≦ 1且x+y≦1为主之半导体表面上具有光束可透过之 接触层(6),其特征为: 此接触层(6)具有许多相邻而配置之凹口(8),此接触 层(6)之厚度大于5nm且小于100nm。 2.如申请专利范围第1项之光电元件,其中各凹口(8) 之横切面之面积和(sum)大于所保存之接触层(6)之 面积。 3.如申请专利范围第1或第2项之光电元件,其中各 凹口(8)之横切面是圆形的。 4.如申请专利范围第1或第2项之光电元件,其中各 凹口(8)具有六角形之横切面。 5.如申请专利范围第1或第2项之光电元件,其中各 凹口(8)以长形延伸之狭缝(17)构成。 6.如申请专利范围第5项之光电元件,其中此条片(16 )以网状形成在各凹口(8)之间。 7.如申请专利范围第1或第2项之光电元件,其中各 凹口(8)均匀地相隔开而分布在接触层(6)上。 8.如申请专利范围第3项之光电元件,其中各凹口(8) 均匀地相隔开而分布在接触层(6)上。 9.如申请专利范围第1或第2项之光电元件,其中各 凹口(8)不均匀地相隔开而分布在接触层(6)上。 10.如申请专利范围第1或第2项之光电元件,其中各 凹口(8)之横切面向着接触层(6)之边缘而增大。 11.如申请专利范围第1或第2项之光电元件,其中各 凹口是贯穿此接触层(6)之开口(8)。 12.一种在光电元件半导体之以InxAlyGa1-x-yN, 0≦x≦1 , 0≦y≦1且x+y≦1为主之表面上可透过光束之接触 层(6)之制造方法,其特征为;此接触层(6)藉由一种 作为遮罩用之层而由完全覆盖此半导体表面所用 之具有各凹口(8)之微粒(11)所结构化。 13.如申请专利范围第12项之制造方法,其中各微粒( 11)以球构成。 14.如申请专利范围第12项或13项之制造方法,其中 各微粒(11)由聚苯乙烯制成。 15.如申请专利范围第12或13项之制造方法,其中使 用外部尺寸小于1m之微粒(11)。 16.如申请专利范围第12项之制造方法,其中微粒(11) 藉助于液体而漂浮在半导体表面上。 17.如申请专利范围第12或16项之制造方法,其中此 半导体表面首先以微粒(11)覆盖,作为金属层用之 材料(6)施加在半导体表面上。 18.如申请专利范围第17项之制造方法,其中在作为 金属层用之材料(6)施加之前对各微粒(11)进行回蚀 刻。 19.如申请专利范围第12或16项之制造方法,其中在 半导体表面上首先沈积此种作为金属层用之材料( 6),此半导体表面然后以微粒(11)覆盖,作为金属层 用之材料(6)在各微粒之间随后被去除。 20.如申请专利范围第19项之制造方法,其中未由微 粒(11)所覆溘之作为金属层用之材料(6)藉由回溅镀 或电浆蚀刻而去除。 21.如申请专利范围第12或16项之制造方法,其中这 些微粒(11)在接触层(6)结构化之后在超音波槽中藉 助于溶剂而去除。 22.如申请专利范围第19项之制造方法,其中这些微 粒(11)在接触层(6)结构化之后在超音波槽中藉助于 溶剂而去除。 23.如申请专利范围第12项之制造方法,其中这些微 粒(11)在接触层(6)结构之后藉由溶解而在蚀刻液中 去除。 24.如申请专利范围第19项之制造方法,其中这些微 粒(11)在接触层(6)结构之后藉由溶解而在蚀刻液中 去除。 图式简单说明: 第1图 光电元件之实施例之横切面。 第2图 第1图之光电元件之俯视图。 第3图 光电元件之第二实施例之横切面。 第4图 第3图之光电元件之俯视图。 第5a至5c图 光电元件之接触层中所引入之各凹口 之不同之横切面外型(profile)。 第6a至6c图 在晶圆上施加小球以便在光电元件之 接触层中制成各凹口所用之不同之步骤。 第7图光电元件之不同之实施例之俯视图。 第8a至8d图 光电元件之接触层中各种不同之由狭 缝所组成之开口。 |
