发明名称 焊剂
摘要 本发明系有关一种电子机器,半导体装置与基板的接合部是由Cu等金属球部及该金属球部与Sn的化合物形成的,该金属球部是利用该化合物被连结的。
申请公布号 TWI248384 申请公布日期 2006.02.01
申请号 TW091100249 申请日期 2001.06.08
申请人 日立制作所股份有限公司 发明人 曾我太佐男;下川英惠;中塚哲也;三浦一真;根岸干夫;中浩一;远藤恒雄
分类号 B23K35/22;H05K3/00 主分类号 B23K35/22
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种焊剂,特征为:至少具有Sn球或In球中之一种, 和比该Sn或In之熔点高的金属球。 2.如申请专利范围第1项所述之焊剂,其中上述金属 球为Cu球。 3.如申请专利范围第1项所述之焊剂,其中上述金属 球为Al球。 4.如申请专利范围第1项所述之焊剂,其中上述金属 球为Ag球。 5.如申请专利范围第1项所述之焊剂,其中上述金属 球为Au球。 6.如申请专利范围第1项所述之焊剂,其中上述金属 球为Cu合金球、Cu-Su合金球、Ni-Sn合金球、Zn-Al系 合金球、Au-Sn系合金球中之任一种。 7.如申请专利范围第1项至第6项中之任一者所述之 焊剂,其中又具有塑胶球。 8.如申请专利第1项至第6项中之任一者所述之焊剂 ,其中又具有被金属喷镀之不胀钢、二氧化硅、氧 化铝、ALN、SIC之粒子中的至少一个。 9.如申请专利范围第1项至第6项中之任一者所述之 焊剂,其中又具有Bi。 10.如申请专利范围第1项至第6项中之任一者所述 之焊剂,其中上述金属球之表面被电镀有Sn或Sn合 金。 11.如申请专利范围第1项至第6项中之任一者所述 之焊剂,其中上述金属球之直径为5m至10m。 12.如申请专利范围第1项至第6项中之任一者所述 之焊剂,其中上述金属球之直径为20m至40m。 13.如申请专利范围第1项至第6项中之任一者所述 之焊剂,其中上述Sn球或In球和上述金属球之比率 为0.6至1.4。 14.如申请专利范围第1项至第6项中之任一者所述 之焊剂,其中上述Sn球或In球和上述金属球之比率 为0.8至1.0。 15.如申请专利范围第1项至第6项中之任一者所述 之焊剂,该焊剂之Sn或In之熔点系比Sn-Ag-Cu系焊剂之 熔点低,该焊剂之金属球之熔点系比Sn-Ag-Cu系焊剂 高。 16.一种焊剂,乃属于具有Cu球和Sn球之焊剂,其特征 为:于该Sn之熔点以上,该焊剂系藉由该Cu球之一部 分和该Sn球形成含有Cu6Sn5之化合物,该Cu球彼此系 藉由含有Cu6Sn5之化合物而结合。 17.一种焊剂,乃属于具有Cu球和Sn球之焊剂,其特征 为:当该Sn球溶解时,成为该Sn掩埋该Cu球之间隙,而 且在该Cu球表面之至少一部分上形成含有Cu6Sn5之 化合物,该Cu球彼此藉由含有Cu6Sn5之化合物而结合 之状态。 18.如申请专利范围第16项或第17项所述之焊剂,其 中该Cu球之直径为5m至10m。 19.如申请专利范围第16项或第17项所述之焊剂,其 中该Cu球之直径为20m至40m。 20.如申请专利范围第20项所记载之焊剂,其中上述 Sn球和上述或Cu球之比率为0.6至14。 21.如申请专利第21项所述之焊剂,其中上述Sn球或In 球和上述金属球之比率为0.8至10。 22.如申请专利范围第16项或第17项所记载之焊剂, 其中该焊剂之Sn之熔点系比Sn-Ag-Cu系焊剂之熔点低 ,该焊剂之Cu之熔点系比Sn-Ag-Cu系焊剂高。 图式简单说明: 第1图系表示接合用焊膏之材料、构成的断面模组 图。 第2图系为适用例之断面模组与焊膏供给法、接合 状态之模组图。 第3图系为适用于表面蚀刻图案时之断面图。 第4图系为适用于易合金化电镀时之接合前的断面 图。 第5图系为将模组实装在印刷基板之断面模组图。 第6图系为塑胶封装体之断面模组图。 第7图系为RF模组实装之断面模组图。 第8图系为RF模组实装之装置流程图。 第9图系为RF模组之装置顺序之断面模组图。 第10图系为朝RF模组之实装基板的实装状态之立体 图。 第11图系为RF模组组装中之树脂印刷方法之立体图 。 第12图系为表示RF模组之比较例中的焊剂流向原理 之断面及立体图。 第13图系为RF模组中之比较例与本案现象之比较。 第14图系为高输出树脂封装体之平面、断面模组 图。 第15图系为表示高输出树脂封装体之装置的流程 图。 第16图系为用复合体球部加以接合的CSP接合部断 面模组图。 第17图系为Cu球部凸块之BGA,CSP断面模组。 第18图系为变形构造镀Cu凸块之BGA,CSP断面模组。 第19图系表示Sn/Cu比率与接合适当区域的关系图。
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