| 发明名称 | 用于保护一个MRAM装置不受窜改的方法和装置 | ||
| 摘要 | 应当保护存储在MRAM单元(12)中的数据不被滥用或不被未经许可的人读出。本发明提供了一种MRAM单元(12)的阵列(10)，具有一个安全装置(14)，用于当该阵列遭到窜改时破坏存储在MRAM单元(12)中的数据。这是通过临近于MRAM阵列(10)放置一个永久磁铁与一个软磁通量闭合层(18)结合而实现的。只要软磁层(18)存在，那么来自永久磁铁(16)的磁场线(20)偏转并通过这个软磁层(18)。当某人例如通过逆向工程窜改MRAM阵列(10)时，并且移除通量闭合层(18)，那么通量就不再偏转并且影响附近的MRAM阵列(10)，从而破坏了存储在MRAM单元(12)中的数据。 | ||
| 申请公布号 | CN1729539A | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
| 申请号 | CN200380106672.0 | 申请日期 | 2003.12.15 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | K·M·H·伦斯森;R·乔彻姆森 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01);G11C7/24(2006.01);G06K19/073(2006.01) | 主分类号 | G11C11/16(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 龚海军;陈景峻 |
| 主权项 | 1、一种MRAM单元(12)的阵列(10)，具有一个安全装置(14)，用于当该阵列遭到窜改时破坏存储在MRAM单元(12)中的数据，其中安全装置(14)是一个磁性装置。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||