| 发明名称 | 用于制造场效应晶体管门极结构的工艺整合的组合工具和方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于制造场效应晶体管门极结构的工艺整合的方法和设备，该方法包括装配一整合基板加工系统(integrated substrate processing system)，该系统包括一测量模块和一真空加工平台，以完成受控和自适应等离子工艺，而不将基板暴露于非真空环境。 | ||
| 申请公布号 | CN1728340A | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
| 申请号 | CN200510008540.5 | 申请日期 | 2005.02.18 |
| 申请人 | 应用材料有限公司 | 发明人 | 爱·库玛;瑞麦希·奎许纳穆 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/66(2006.01);H01L21/335(2006.01);H01L21/8232(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种制造具有高介质常数门极电介质的场效应晶体管门极结构的方法，其特征在于，该方法包括：(a)测量门极结构的模制光刻胶掩模修整前的尺寸以确定修整工艺；(b)修整模制光刻胶掩模到预先设定的宽度；(c)在整模制光刻胶掩模的底部形成硬掩模，该硬掩模包含布置在具有α-碳的薄膜上的一防反射涂层；(d)使用等离子蚀刻工艺形成高介质常数的门极电介质层来制造门极结构；(e)测量门极结构尺寸，以调整修整工艺；以及(f)在单一组合工具中，执行步骤(a)-(e)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||