| 发明名称 | 多层氧化可一次编程器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多层氧化可一次编程器件，在晶体管和电容侧分别采用不同的栅氧化厚度。本发明既可以提高电容耦合效率，又会大大减小芯片的面积。本发明适用于半导体集成电路及分离元器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1728392A | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
| 申请号 | CN200410053295.5 | 申请日期 | 2004.07.29 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 姚泽强;徐向明 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/82(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种多层氧化可一次编程器件，其特征在于：在OTP器件的晶体管侧和电容侧分别采用两种不同厚度的栅氧化膜，在晶体管侧采用厚栅氧区，在电容侧采用薄栅氧区。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东川桥路1188号 | ||