| 发明名称 | 晶片处理装置和晶片平台以及晶片处理方法 | ||
| 摘要 | 一种包括晶片平台的晶片处理装置，其中半导体晶片安装在晶片平台上以便处理半导体晶片，其中对于多个晶片平台来说，共用晶片平台的保持机构，因此，晶片平台可以改变为具有不同功能的晶片平台，以便处理半导体晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN1240107C | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
| 申请号 | CN02141411.4 | 申请日期 | 2002.08.30 |
| 申请人 | 株式会社日立高新技术 | 发明人 | 菅野诚一郎;川原博宣;末広满;金井三郎;增田俊夫 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种晶片处理装置，包括真空室、高频功率源、连接于高频功率源并位于真空室上部的电极、和晶片平台，半导体晶片安放在晶片平台上以便处理，晶片平台与真空室中的电极相对安置，其特征在于，该晶片处理装置包括固定于真空室的凸缘的绝缘部件，在其上安装有多个晶片平台，并且附加多个基座，多个晶片平台具有不同的尺寸以便针对不同的晶片尺寸。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||