减少发雾效应的方法

摘要

本发明提供一种电子束光刻系统中减小发雾效应的方法，其中控制曝光来得到处理后与设计数据相符的最后图案。通过个别的改变至少控制函数的基本输入参数来拟合发雾效应的模型，按照邻近校正器中所用的Kernel型来选择函数类型。为获得邻近和发雾效应的公共控制函数，也考虑邻近效应和一组最佳化的参数。采用与标准邻近校正器中所实施的相同算法，只在一个数据处理步骤中通过单个组合邻近效应控制函数和发雾效应控制函数，来控制采用电子束光刻系统写入的图案。

主权项

1.一种减小电子束光刻系统中发雾效应的方法，其特征在于，控制曝光以获得处理后的最后图案使得在整个掩膜或芯片上的总体CD均匀性达到符合设计数据的最佳化，所述方法包括步骤：·在有和没有发雾影响两种情况下曝光邻近校正的测试图案；·测量测试图案内最后测试结构的几何尺寸，并由此得到一组表示发雾效应对尺寸影响的测量数据，作为设计数据所要求的数据；·从该组测量数据中测定对高斯函数Gfog或其他函数的基本输入参数的数值范围，所述的函数类型是根据描述发雾效应的邻近校正器中所用的Kernel型式选择的；·考虑邻近效应，通过个别地改变至少高斯函数Gfog的基本输入参数，对测量数据组拟合发雾效应的模型，并由此获得对单个公共的邻近和发雾控制函数的最佳化参数组；以及·在按设计数据曝光图案期间对电子束光刻系统的曝光控制应用该校正函数。