一种栅氧化工艺的热处理方法

摘要

本发明公开了一种栅氧化工艺的热处理方法，在现有的栅氧化工艺流程中，将氧气加入退火工艺，使现有工艺中的纯氮气退火改为本发明的氮氧混合气体退火。本发明在不影响硼穿通和HCI的前提下，可以改善栅氧化的周期噪声表现。本发明可用于半导体集成电路及分离器件的制造工艺。

主权项

1、一种栅氧化工艺的热处理方法，其特征在于：在N2O退火之后的热处理过程中，加入少量氧气，使整个氧化过程分为三段：1、主氧化：小流量的湿氧，800℃；2、N2O退火，900℃；3、在随后的退火氮气中掺入氧气，此时生长的氧化层将原先已产生的氧化层推离硅/二氧化硅的界面，减少TRAP在硅/二氧化硅的界面的浓度。