| 发明名称 | 低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜 | ||
| 摘要 | 一种低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘衬底；一高反膜，在半绝缘衬底的下面镀有高反膜；一缓冲层，该缓冲层制作在半绝缘衬底上；一吸收区，该吸收区制作在缓冲层上；一增透膜，该增透膜制作在吸收区上。本发明可用于波长为一微米附近的固体激光器的被动锁模，实现超短脉冲激光的输出。 | ||
| 申请公布号 | CN1728478A | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
| 申请号 | CN200410070110.1 | 申请日期 | 2004.07.30 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王勇刚;马骁宇 |
| 分类号 | H01S3/098(2006.01);G02B1/02(2006.01) | 主分类号 | H01S3/098(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘衬底；一高反膜，在半绝缘衬底的下面制作有高反膜；一缓冲层，该缓冲层制作在半绝缘衬底上，在缓冲层上生长材料质量比直接在衬底上生长的质量要好；一吸收区，该吸收区制作在缓冲层上，起饱和吸收作用；一增透膜，该增透膜制作在吸收区上，和高反膜一起构成输出镜式工作方式。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||