发明名称 |
包含半导体平台结构和导电结的电子器件和所述器件的制作方法 |
摘要 |
一种电子器件,包含衬底和衬底上的半导体平台。所述器件平台具有毗邻衬底的平台底部、与衬底相对的平台表面、以及位于平台表面和平台底部之间的平台侧壁。此外,该半导体平台在平台底部和结之间具有第一导电类型,该结位于平台底部和平台表面之间,且该半导体平台在该结和平台表面之间具有第二导电类型。此外也讨论了相关的制造方法。 |
申请公布号 |
CN1729582A |
申请公布日期 |
2006.02.01 |
申请号 |
CN200380107070.7 |
申请日期 |
2003.12.18 |
申请人 |
克里公司 |
发明人 |
M·J·伯格曼恩;D·T·埃梅森;A·C·阿巴雷;K·W·哈伯雷恩 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张雪梅;梁永 |
主权项 |
1.一种发光器件,包括:碳化硅衬底;以及衬底上的半导体结构,该半导体结构包含平台,该平台具有毗邻衬底的平台底部、与衬底相对的平台表面、以及平台表面和平台底部之间的平台侧壁,其中该半导体结构在毗邻碳化硅衬底处具有第一导电类型,其中该半导体结构在毗邻平台表面处具有第二导电类型,其中该半导体结构具有位于第一和第二导电类型之间的结,并且其中该平台设计成为半导体结构中的发光器件提供电流限制或光学限制中的至少一种。 |
地址 |
美国北卡罗来纳州 |