制备低温无催化剂针状Zn0纳米线的方法

摘要

本发明属于半导体材料技术领域，是一种制备低温无催化剂针状ZnO纳米线的方法。首先对衬底进行处理。将Zn源放于石英舟内，衬底垂直放于Zn源上方3－5毫米，然后将石英舟置于石英管中间，并将其作为一个整体置于封闭加热系统中。对管式炉进行加热，使其迅速升温至反应温度430℃－520℃。在达到反应温度前向体系内通高纯Ar，达到反应温度后将高纯Ar改为普N₂。在该温度下反应20－30分钟，然后将普N₂改为高纯Ar并停止对系统加热。 整个过程用机械泵对封闭加热系统进行抽低压至为1－10托。本发明既可以在低温下生长，又不需要在衬底上沉积任何催化剂，与其它方法相比设备简单、成本低。

主权项

1、一种制备低温无催化剂针状ZnO纳米线的方法，首先对衬底进行清洁处理，其特征是将Zn源放于石英舟内，衬底垂直放于Zn源上方3-5毫米，然后将石英舟置于石英管中间，并将其作为一个整体置于封闭加热系统中，对封闭加热系统进行加热，使其迅速升温至反应温度430℃；在达到反应温度前向封闭加热体系内通高纯Ar，流量为120-170毫升/厘米3，达到反应温度后将高纯Ar改为普N2，流量为120-170毫升/厘米3；在该温度下反应20-30分钟，然后将普N2改为高纯Ar并停止对封闭加热系统加热；整个过程用机械泵对封闭加热系统进行抽低压至为1-10托；在封闭加热系统温度降至室温后将样品取出。