| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括：利用通过光学调制器调制以使其具有光强度分布的激光束照射非单晶半导体膜的待结晶区域，以使该区域结晶，所述光强度分布具有最小光强度线或者最小光强度点；以及通过将来自闪光灯的光照射到结晶区域来加热结晶区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1728334A | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
| 申请号 | CN200510087594.5 | 申请日期 | 2005.07.28 |
| 申请人 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 发明人 | 中村弘喜;蕨迫光纪;松村正清 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/477(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括：激光照射步骤，利用通过光学调制器调制使其具有光强度分布的激光束照射非单晶半导体膜的待结晶区域，以使该区域结晶，所述光强度分布具有最小光强度线或者最小光强度点；以及加热步骤，通过将来自闪光灯的光照射到所述结晶区域上来加热所述结晶区域。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||