具有自对准半导体平台和接触层的半导体器件和相关器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，可包括在衬底上形成半导体结构，该半导体结构具有平台侧壁和与衬底相对的平台表面。可在平台表面上形成接触层，其中接触层具有侧壁和与平台表面相对的接触表面，且其中接触层基本上延伸在整个平台表面上。可在平台侧壁上和毗邻平台表面的接触层侧壁的部分上形成钝化层，且该钝化层可基本上暴露接触层的整个接触表面。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成半导体层；与衬底相对地在半导体层上形成导电层；与半导体层相对地在导电层上形成掩膜；选择性地除去由掩膜暴露的半导体层和导电层的部分，同时保留掩膜以定义半导体平台，该半导体平台具有位于掩膜和与衬底之间的平台侧壁以及和衬底相对的平台表面，并定义半导体平台和掩膜之间的平台表面上的接触层；在掩膜上和平台侧壁上形成钝化层；以及除去掩膜和掩膜上的钝化层的部分。