发明名称 |
CELDA DE MEMORIA. |
摘要 |
Una celda de memoria que comprende un material polimérico de memoria (2) con propiedades ferroeléctricas o de electreto y capaz de ser polarizado y de mostrar histéresis, en la que el material polimérico de memoria (2) se proporciona en contacto con los electrodos primero y segundo (3; 4), caracterizada porque el. material polimérico de memoria (2) es una mezcla de al menos un primer y un segundo material polimérico (2a; 2b), siendo dicho primer material polimérico un material polimérico ferroeléctrico o de electreto, y porque cada electrodo es un electrodo multicapa compuesto que comprende una primera capa (3a; 4a) de material altamente conductor y una segunda capa (3b; 4b) de polímero conductor, formando el polímero conductor una capa de contacto entre el material altamente conductor (3a; 4a) y el material de memoria (2).
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申请公布号 |
ES2246042(T3) |
申请公布日期 |
2006.02.01 |
申请号 |
ES20030707258T |
申请日期 |
2003.02.11 |
申请人 |
THIN FILM ELECTRONICS ASA |
发明人 |
GUDESEN, HANS, GUDE;NORDAL, PER-ERIK |
分类号 |
H01L27/105;G11C11/22;H01L21/8246;H01L27/115;H01L29/861;(IPC1-7):G11C11/22;H01L23/532;H01L51/20;H01L51/30 |
主分类号 |
H01L27/105 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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