发明名称 CELDA DE MEMORIA.
摘要 Una celda de memoria que comprende un material polimérico de memoria (2) con propiedades ferroeléctricas o de electreto y capaz de ser polarizado y de mostrar histéresis, en la que el material polimérico de memoria (2) se proporciona en contacto con los electrodos primero y segundo (3; 4), caracterizada porque el. material polimérico de memoria (2) es una mezcla de al menos un primer y un segundo material polimérico (2a; 2b), siendo dicho primer material polimérico un material polimérico ferroeléctrico o de electreto, y porque cada electrodo es un electrodo multicapa compuesto que comprende una primera capa (3a; 4a) de material altamente conductor y una segunda capa (3b; 4b) de polímero conductor, formando el polímero conductor una capa de contacto entre el material altamente conductor (3a; 4a) y el material de memoria (2).
申请公布号 ES2246042(T3) 申请公布日期 2006.02.01
申请号 ES20030707258T 申请日期 2003.02.11
申请人 THIN FILM ELECTRONICS ASA 发明人 GUDESEN, HANS, GUDE;NORDAL, PER-ERIK
分类号 H01L27/105;G11C11/22;H01L21/8246;H01L27/115;H01L29/861;(IPC1-7):G11C11/22;H01L23/532;H01L51/20;H01L51/30 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人
主权项
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