发明名称 一种结晶非晶硅的方法
摘要 掩模和该掩模在连续横向固化(SLS)的非晶硅结晶中的应用。所述掩模包括遮挡激光束的光吸收区和可使激光束通过的多个阶梯形光透射区。每个光透射区具有多个相邻的矩形子区。相邻的矩形子区形成台阶。在操件中,使掩模相对于非晶硅薄膜横向移动,同时借助激光完成SLS结晶。通过光照区控制晶粒生长,从而形成高质量多晶硅。
申请公布号 CN1239756C 申请公布日期 2006.02.01
申请号 CN02117592.6 申请日期 2002.05.09
申请人 LG.菲利浦LCD株式会社 发明人 尹溱模
分类号 C30B28/02(2006.01);C30B33/02(2006.01);G02F1/13(2006.01) 主分类号 C30B28/02(2006.01)
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 徐金国;陈红
主权项 1.一种结晶非晶硅薄膜的方法,包括,将带有非晶硅薄膜的基板固定到连续横向固化(SLS)设备中;用穿过掩模的激光束照射非晶硅薄膜,其中所述掩模包括光吸收区和多个形成阶梯状的光透射区,其中每个光透射区具有多个矩形子区,每个矩形子区的宽度大于1微米和小于10微米,而且其中每个矩形子区的长度为几百微米至几个毫米,其中穿过所述光透射区的激光束区域将第一结晶区内的非晶硅薄膜熔化成液态硅,其中所述第一结晶区中的每个结晶区具有多个硅子区,每个硅子区具有第一晶粒区、第二晶粒区和中间区,而且第一和第二晶粒区的晶粒从液相和固相硅之间的界面横向生长。在激光进行连续横向固化结晶的过程中,相对于非晶硅薄膜横向移动掩模,在第二结晶区上进行第二次结晶,以便使第二晶粒区中的硅晶粒继续生长。
地址 韩国首尔