半导体存储器装置，存取架构以及其操作的方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器装置，存取架构以及其操作的方法，所述半导体存储器装置，其包括第一装置、第二装置、以及存储单元。第一装置耦接多个第一导线，用以在第一导线上产生小幅差动信号。第二装置，透过第一导线耦接第一装置。存储单元透过多个第二导线耦接第二装置，用以感应在第一导线上的小幅差动信号，以及根据小幅差动信号以在第二导线上产生全幅信号，并储存全幅信号。本发明所述半导体存储器装置，存取架构以及其操作的方法，可提高元件运行速度，且特别适用于大容量存储器装置。

主权项

1、一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：一第一装置，耦接多个第一导线，用以在该第一导线上产生一小幅差动信号；一第二装置，透过该第一导线，耦接该第一装置；以及一存储单元，透过多个第二导线耦接该第二装置，第二装置用以感应在该第一导线上的该小幅差动信号，以及根据该小幅差动信号以在该第二导线上产生一全幅信号，并储存该全幅信号的电位至存储单元。