| 发明名称 | 具有碳纳米管发射器的场致发射显示器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种含有碳纳米管发射器的场致发射显示器(FED)及其制造方法。环绕CNT发射器的栅重叠包括覆盖与CNT发射器邻接的发射器电极的掩膜层、和栅绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiO<SUB>X</SUB>，X＜2)和在掩膜层上形成的聚焦栅电极。掩膜层的高度大于CNT发射器的高度。第一氧化硅膜具有2μm或更大的厚度，并且优选为3～15μm。在第一氧化硅膜和/或栅绝缘膜的形成工艺中，硅烷的流率维持在50～700sccm，并且硝酸(N<SUB>2</SUB>O)的流率维持在700～4500sccm。 | ||
| 申请公布号 | CN1728326A | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
| 申请号 | CN200510006492.6 | 申请日期 | 2005.01.12 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 崔濬熙;安德烈·朱尔卡尼夫;姜昊锡;申文珍 |
| 分类号 | H01J31/12(2006.01);H01J31/15(2006.01);H01J29/02(2006.01);H01J29/04(2006.01);H01J1/46(2006.01);H01J1/304(2006.01);H01J9/02(2006.01) | 主分类号 | H01J31/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种碳纳米管场致发射显示器，包括：衬底；在所述衬底上形成的透明电极；在所述透明电极上形成的发射器电极；在所述发射器电极上形成的碳纳米管发射器；形成在所述碳纳米管发射器的周围区域之上的栅重叠，其从所述碳纳米管发射器中提取电子束、将已提取的电子束聚焦到预定靶；在所述栅重叠之上形成的前面板，并且在所述前面板上显示信息；以及在所述前面板的背面上形成的荧光膜，其中所述栅重叠包括掩膜层，所述掩膜层覆盖着在所述碳纳米管发射器周围的所述发射器电极且具有大于所述碳纳米管发射器的高度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||