一种集成电路结构及制造方法

摘要

本发明提供一种集成电路结构及制造方法，包括：在半导体衬底上形成隔离场区域；在衬底表面上形成栅电介质层；在栅电介质层上形成栅电极；形成光刻胶且覆盖于主动区域上；选择性地蚀刻虚拟图案；选择性地蚀刻虚拟衬底；接着移除光刻胶；在沿着该栅电极与该栅电介质层的相对边墙上形成一对间隙壁；在衬底表面上形成源极和漏极；在栅电极、源极和汲极上形成硅化金属；随后形成内层电介质层；接着形成一接触开口及金属线路。本发明利用CMP平坦化处理，其并不会在金属线路与虚拟图案之间伴随增加寄生电容。

主权项

1.一种集成电路结构，至少包含：半导体衬底，具有上表面；隔离场区域，由该衬底的该上表面延伸进入该衬底而形成；虚拟衬底区域，借由该隔离场区域分开，其中该虚拟衬底区域具有由该衬底上表面凹入的上表面；通常的主动区域，借由该隔离场区域分开，其中该通常主动区域具有实质上与该衬底的上表面成共面的表面；栅电介质层，形成于该衬底的上表面上，以及该通常主动区域中；以及栅电极，形成于该栅电介质层上。