抑制在集成电路中形成金属间化合物夹杂物的方法

摘要

在无铅互连中使用Ni(P)和富锡焊料时，可以通过在无电镀Ni(P)金属化层上提供防止反应或控制层，例如在Ni(P)层上施加锡薄层或者在Ni(P)层上施加铜薄层，来预防或控制金属间化合物夹杂物的形成。

主权项

1.一种在熔接温度漂移期间抑制第一和第二相邻层的潜在不希望相互作用的方法，其中在集成电路互连结构的制造过程中，通过使不同用途的金属叠层经受所述熔接温度漂移，使所述叠层熔接在一起，该方法包括以下步骤：暴露所述潜在相互作用层的所述第一层的表面；在所述潜在相互作用层的所述第一层的所述暴露表面上施加金属保护层，该金属保护层在所述熔接温度漂移期间具有至少一种对于所述相互作用的抑制特性；在所述保护层上施加所述第一和第二潜在相互作用层的所述第二层；以及使所述第一层、所述保护层和所述第二层的组装叠层经受所述熔接温度漂移。