| 发明名称 | 像素电极的开关元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种像素电极的开关元件及其制造方法，适用于显示器，首先形成一栅极于一基板上方。之后，形成一栅极绝缘层于该栅极上方。其中，还包括形成一缓冲层于该栅极与该基板之间以及/或位于该栅极与该栅极绝缘层之间。其中，该缓冲层包括硅化钽、氮硅化钽、硅化钛、氮硅化钛、硅化钨、氮硅化钨、或氮碳化钨。然后，形成一半导体层于该栅极绝缘层上方，并且形成一源/漏极于部分该半导体层上方。其中，该栅极被该缓冲层覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN1728403A | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
| 申请号 | CN200510083226.3 | 申请日期 | 2005.07.07 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 方国龙;蔡文庆;杜国源;林汉涂 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01);G02F1/1368(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种像素电极的开关元件，适用于平面显示器，包括：栅极，位于一基板上方；栅极绝缘层，位于该栅极上方；第一缓冲层，位于该栅极与该基板之间以及/或位于该栅极与该栅极绝缘层之间，其中该缓冲层包括硅化钽(TaSix)、氮硅化钽(TaSixNy)、硅化钛(TiSix)、氮硅化钛(TiSixNy)、硅化钨(WSix)、氮硅化钨(WSixNy)、或氮碳化钨(WCxNy)；半导体层，位于该栅极绝缘层上方；以及源/漏极，位于部分该半导体层上方。 | ||
| 地址 | 台湾新竹市 | ||