| 发明名称 | 一种CMOS图像传感器的前道制程工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS图像传感器的前道制程工艺方法，在PD形成之后，通过淀积一层膜并加一次光刻刻蚀，将PD部分用膜包覆起来，形成一种保护膜。这样，在其后的工艺过程中，PD部分就不会露出，减小了后续工艺引入缺陷的可能性。本发明可以有效简化CMOS图像传感器制程的集成复杂度，降低由于制程本身对PD漏电流的影响，降低PD漏电流的发生，提高器件成像的品质。 | ||
| 申请公布号 | CN1728361A | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
| 申请号 | CN200410053294.0 | 申请日期 | 2004.07.29 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 金炎;吕浩 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器的前道制程工艺方法，其特征在于：在PD形成之后，通过淀积一层膜并加一次光刻刻蚀，将PD部分用膜包覆起来，形成一种保护膜。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东川桥路1188号 | ||